苹果正全力投入人工智能发展，力求让未来 iPhone 系列在 AI 热潮中保持竞争力。 根据韩媒ETNews报导，苹果正积极考虑在2027年的iPhone机型中采用高带宽记忆体（High Bandwidth Memory，HBM）技术，此举可能会成为该公司AI计算能力升级的关键一步。
高带宽内存令加快 AI 处理速度
HBM 是一种通过堆栈DRAM 层的内存技术，可大幅提升信号传输速度与带宽，使处理器存取数据的速度显著提高。 该技术目前主要应用于高效能服务器与图形处理器中。 若苹果在 iPhone 中导入 HBM，不仅是内存架构的重大转变，也代表未来 AI 处理将有显著提升空间。
报导指出，苹果正考虑重新设计其应用处理器（Application Processor），并可能将内存直接连接至GPU，以支持更强大的AI运算，这与目前Apple Silicon的Unified Memory架构不谋而合。 这项设计变更预期将在2027年iPhone，也就是iPhone问世20周年机型中首次登场。
记忆体大厂积极争取苹果订单
据了解，苹果已与三星星 Electronics 及 SK Hynix 内存供应商展开初步洽谈。 两家公司都在开发专属于移动设备的 HBM 模块，并使用各自的封装技术。 SK Hynix 采用名为 Vertical wire Fan Out（VFO）的方式，而 Samsung 则命名为 Vertical Cu-post Stack（VCS）。 两者预计最快于2026年后量产，意图在iPhone导入HBM之前抢下订单。
这场竞争不仅关系到移动设备市场，更牵动两大内存厂商将服务器HBM技术延伸至智能手机的整体战略。 对苹果而言，选择正确的供应链伙伴将对 iPhone AI 效能发挥至关重要影响。
周年机型同步大改
除了内存与处理器的进化，20周年iPhone预计还将带来多项可见的技术变革。 首先在屏幕方面，苹果可能采用16纳米FinFET制程的OLED显示驱动芯片（DDI），不仅能提升电力效率，也有望实现四边无边框设计。 此外，苹果也积极研究在屏幕下整合前镜头的技术，通过透明聚酰亚胺基材与特殊镜头来减少画质损失。
Samsung预期将为iPhone 18采用新的M16材料组，未来更可能为20周年机型量身打造专属荧幕材料。 同时，电池部分也传出会采用纯硅材料作为负极，不含石墨，藉此提升续航力并支持更高功耗的AI应用。
AI 要求高功耗电池效率成胜负关键
随着 AI 模型愈趋复杂且资源密集，苹果若想要在 AI 体验上领先市场，电力管理技术必须同步提升。 无论是通过更高效的芯片制程、崭新的存储器架构，或是更先进的电池材料，这些升级都将是苹果实现「Apple Intelligence」愿景的关键拼图。
